GTX312L比TSM12更具优势的智能门锁触摸芯片方案

　　内部控制寄存器可以使用I2C读写接口；提供可切换在同一芯片上进行两个芯片并行操作的芯片IDI2C总线MHz，可充分满足智能门锁对于各种功能调度的计算能力需求。

　　GTX312L芯片做智能锁产品的时候的设计建议和注意事项，根据项目形态不同会略有差异，客户可以根据实际情况进行调整。

　　如果原来使用的是TSM12芯片，当替换成 GTX312L 时需做如下改动：

　　1）原来TSM12原理图中第15脚上的电阻换成 5PF～10PF左右大小的电容．

　　3）如果想改动小就按上面1和2项处理，如果客户想进一步节省成本的话，可以把其他脚上的器件全部拿到，但是I2C上的10K上拉要保留。

　　1）VDD供电要稳定，电池通过LDO后单独拉线供电，建议不要和主控和其他芯片串在一起供电

　　2）RIN脚的电容挂10PF左右，智能锁上现有客户主要都是挂 6.8PF 和10PF为主。

　　3）芯片VDD电压和外围上拉的 VDD 要一致，不一致的时候和请单独咨询。

　　4）从芯片的SIN脚到按键焊盘的走线尽量短，SIN 线和 SIN 线之间的间距越大越好，平行走线数量越少越好

　　6）SIN和RIN线的旁边和底层不要有地，旁边的地和底层的地要和 SIN 线mm以上，越大越好，若是无法保证0.5mm以上间距的时候也可以缩短，请具体咨询技术支持人员

　　7）SIN线和天线的间距越大越好，SIN线和天线不管是在同一层或者不同层，平行走的距离越短越好，SIN 线和天线在不同层之间可以交叉走线，SIN 线和天线走线尽量不要重叠，稍微重叠一点没关系，但不要完全重叠。

　　GTX312L替换TSM12时客户可根据项目不同，可以通过上述内容和一些隐藏寄存器解决各种干扰引起的问题，需要GTX312L产品相关资料及技术支持可联系：（微信同号）